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LM74910QRGERQ1

具有断路器、欠压和过压保护以及故障输出功能的汽车类理想二极管

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描述: LM749x0-Q1理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背N沟道MOSFET，从而模拟具有电源路径开/关控制及过流和过压保护功能的理想二极管整流器。3V至65V的宽输入电源电压可保护和控制12V和24V汽车类电池供电的ECU。该器件可以承受并保护负载免受低至-65V的负电源电压的影响。
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: LM74910QRGERQ1
商品编号: C22427891
商品封装: VQFN-24-EP(4x4)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.3克(g)

商品参数

	属性	参数值
	正向压降(Vf)	10.5mV
	静态电流(Iq)	630uA
	工作温度	-40℃~+125℃
	拉电流(IOH)	20mA
	灌电流(IOL)	2.6A
	功能特性	带使能；过压锁定；欠压锁定；反向极性保护；短路保护；反向电流阻断

商品概述

LM749x0-Q1是具有断路器、欠压和过压保护以及故障输出功能的汽车类理想二极管。LM749x0-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET，从而模拟具有电源路径开/关控制及过流和过压保护功能的理想二极管整流器。3V 至 65V 的输入电源电压可保护和控制 12V 和 24V 汽车类电池供电的 ECU。该器件可以承受低至 –65V 的负电源电压并保护负载免受这些电压的影响。集成的理想二极管控制器 (DGATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特基二极管，以实现反向输入保护和输出电压保持功能。在电源路径中使用了第二个 MOSFET 的情况下，该器件允许在发生过流和过压事件时使用 HGATE 控制将负载断开（开/关控制）。该器件具有集成电流检测放大器，可提供具有可调过流和短路阈值的精确电流监控。该器件具有可调节过压切断保护功能。该器件具有睡眠模式，可实现超低静态电流消耗 (6μA)，同时在车辆处于停车状态时为始终开启的负载提供刷新电流。LM749x0-Q1 的最大额定电压为 65V。

商品特性

符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
器件温度等级 1，环境工作温度范围为 -40℃ 至 +125℃
提供功能安全，可提供用于功能安全系统设计的文档
输入电压范围:3V 至 65V
LM74910H-Q1 具有 74V 最大额定值
反向输入保护低至 –65V
在共漏极配置下，可驱动外部背对背 N 沟道MOSFET
在 10.5mV 阳极至阴极正向压降调节下，理想二极管正常运行
低反向检测阈值 (-10.5mV)，具有快速关断响应(0.5μs)
20mA 峰值栅极 (DGATE) 导通电流
2.6A 峰值 DGATE 关断电流，可调过流和短路保护
LM74910H-Q1 的模拟电流监测器输出具有 2% 的精度
可调节过压和欠压保护
LM74910H-Q1 中的睡眠模式 OCP 重试
2.5μA 低关断电流（EN = 低电平）
睡眠模式电流为 6μA（EN = 高电平，SLEEP = 低电平）
采用合适的 TVS 二极管，符合汽车 ISO7637 瞬态要求
采用节省空间的 24 引脚 VQFN 封装

应用领域

汽车电池保护
ADAS 域控制器
信息娱乐系统与仪表组
汽车音频外部放大器
冗余电源的有源 ORing

	属性	参数值
	商品目录	理想二极管/ORing控制器
	输入电压(Vin)	3V~65V
	反向耐压	65V
	FET类型	外置FET
	通道数	1
	栅极驱动电压	11.5V