TPSI2072QDWQRQ1

TPSI2072-Q1是一款双通道隔离固态继电器，专为高压汽车和工业应用而设计。TPSI2072-Q1采用德州仪器（TI）的高可靠性电容隔离技术，并结合内部背对背MOSFET，形成了一个完全集成的解决方案，无需二次侧电源。由于TI的电容隔离技术不会出现机械继电器和光电继电器组件中常见的机械磨损或光降解失效模式，因此TPSI2072-Q1提高了系统的可靠性。

该器件的初级侧仅需9 mA的输入电流供电，并集成了故障安全EN1和EN2引脚，防止VDD电源出现任何反向供电的可能性。在大多数应用中，器件的VDD引脚应连接到4.5 V - 20 V的系统电源，器件的EN1和EN2引脚应由逻辑高电平在2.1 V - 20 V之间的GPIO输出驱动。在其他应用中，VDD、EN1和EN2引脚可以直接由系统电源或GPIO输出共同驱动。

次级侧的每个通道由背对背MOSFET组成，从SM到S1和SM到S2的耐压为+/-600 V。TPSI2072-Q1 MOSFET的雪崩鲁棒性和热优化封装设计使其能够强大地支持系统级介电耐压测试（HiPot）和高达2 mA的直流快速充电器浪涌电流，而无需任何外部组件。

• 符合汽车应用要求
• AEC-Q100 1级，环境温度范围 -40°C ~ 125°C
• 集成雪崩额定MOSFET
• 设计并通过了介电耐压测试（Hi-Pot）的可靠性认证
• 5秒脉冲时I_AVA = 2 mA，60秒脉冲时为1 mA
• V_H1IP0T,5-s = 4300 V，串联电阻R_series > 1.83 MΩ
• V_HIPOT,S-S = 2850 V，串联电阻R_series > 1.1 MΩ
• 600 V耐压
• R_ON = 65 Ω（结温T_J = 25°C）
• 在500 V（T_J = 105°C）时I_OFF = 1 μA
• 初级侧电源电流低
• 单通道5 mA，双通道导通状态电流9 mA
• 具备功能安全能力
• 提供文档以辅助ISO 26262和IEC 61508系统设计
• 坚固的隔离屏障
• 在1000 VRMS / 1500 VDC工作电压下预计寿命超过26年
• 隔离额定值V_|SO高达3750 VRMS / 5300 VDC
• 采用SOIC 11引脚（DWQ）封装，宽引脚设计以提高热性能
• 爬电距离和电气间隙 ≥ 8 mm（初级 - 次级）
• 爬电距离和电气间隙 ≥ 3 mm（跨开关端子）
• 安全相关认证
• （计划）DIN VDE V 0884 - 11:2017 - 01
• （计划）UL 1577组件认可计划

• 固态继电器
• 混合动力、电动和动力总成系统
• 电池管理系统（BMS）
• 储能系统（ESS）
• 太阳能
• 车载充电器
• 电动汽车充电基础设施