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UCC23113DWYR
UCC23113DWYR
- 描述
- 适用于IGBT、MOSFET和SiCMOSFET，具有5A的峰值拉电流和灌电流输出，以及1.5kVₚ₋ₚ功能隔离。由于具有30V的高电源电压范围，因此允许使用双极电源来有效驱动IGBT和SiC功率FET。可以驱动低侧和高侧功率FET。与基于光耦合器的标准栅极驱动器相比，此器件的主要特性可显著提高性能和可靠性，同时在原理图和布局设计中保持引脚对引脚兼容性
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- UCC23113DWYR
- 商品编号
- C22428066
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.9928克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 隔离式栅极驱动器 | |
| 驱动配置 | 低边；高边 | |
| 隔离电压(Vrms) | 1500 | |
| 负载类型 | IGBT；MOSFET | |
| 通道数 | 1 | |
| 拉电流(IOH) | 5A | |
| 灌电流(IOL) | 5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| 上升时间(tr) | 28ns | |
| 下降时间(tf) | 25ns | |
| 传播延迟 tpLH | 105ns | |
| 传播延迟 tpHL | 105ns | |
| CMTI(kV/us) | 100kV/us | |
| 驱动侧工作电压 | 13V~30V |
优惠活动
购买数量
(250个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个250个/圆盘
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