LM74930QRGERQ1

具备断路器、过压保护和故障输出功能的汽车用理想二极管浪涌抑制器

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描述: 理想二极管控制器驱动和控制外部背对背N沟道MOSFET，以模拟理想二极管整流器和电源路径的通断控制，并具有过流和过压保护功能。4V至65V的宽输入电源可保护和控制12V和24V汽车电池供电的ECU。该器件可以承受低至 -65V的负电源电压，并保护负载。集成的高端栅极控制（HGATE）驱动电源路径中的第一个MOSFET
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: LM74930QRGERQ1
商品编号: C22428070
商品封装: VQFN-24-EP(4x4)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.133714克(g)

商品参数

	属性	参数值
	工作电压	4V~65V
	功能特性	过流保护；短路保护；过压保护；欠压锁定；集成电荷泵；反向电流阻断；锁存保护
	工作温度	-40℃~+150℃

商品概述

LM74930-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET，从而模拟理想二极管整流器和电源路径开/关控制，并提供过流和过压保护功能。4 V至 65V 的宽输入电源电压可保护和控制 12V 和 24V 汽车类电池供电的 ECU。该器件可承受并保护负载免受低至 –65V 的负电源电压的影响。集成的高侧栅极控制 (HGATE) 可驱动电源路径中的第一个 MOSFET。该器件使用 HGATE 控制功能在发生过流、过压和欠压事件时允许负载断开（开/关控制），同时理想二极管控制器 (DGATE) 可驱动第二个 MOSFET 来代替肖特基二极管，从而通过阻止反向电流从输出端流到输入端来实现输入反极性保护和输出电压保持。该器件具有集成的电流检测放大器，通过断路器功能提供可调节的过流和短路保护。该器件具有可调节过压和欠压保护功能，可防止电源瞬变。LM74930-Q1 有一个 MODE 引脚可用于选择性地启用或禁用反向电流阻断功能。

商品特性

符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准，器件温度等级 1:-40℃ 至 +125℃ 环境工作温度范围
4V 至 65V 输入范围
反向输入保护低至 –65V
在共源极配置下，可驱动外部背对背 N 沟道MOSFET
10.5mV 阳极至阴极正向压降调节下，理想二极管正常运行
低反向检测阈值 (-10.5mV)，具有快速 DGATE 关断响应 (0.5μs)
18mA 峰值栅极 (DGATE) 导通电流
2.6A 峰值 DGATE 关断电流
可调过流和短路保护
精度为 10% 的模拟电流监视器输出 (IMON)
可调节过压和欠压保护
2.5μA 低关断电流（EN = 低电平）
MODE 引脚可允许双向电流（MODE = 低电平）
采用合适的 TVS 二极管，符合汽车 ISO7637 瞬态要求
采用节省空间的 24 引脚 VQFN 封装

应用领域

12V/24V 汽车反向电池保护
工业运输
冗余电源 ORing
具有 200V 负载突降保护功能的理想二极管

	属性	参数值
	商品目录	功率电子开关
	类型	理想二极管
	通道数	1
	输入控制逻辑	高电平有效