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IAUCN04S6N009TATMA1
OptiMos6汽车级功率MOSFET
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IAUCN04S6N009TATMA1
- 商品编号
- C22408320
- 商品封装
- LHDSO-10
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 330A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.89mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 178W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@90uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 104nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.345nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.21nF |
商品概述
RC30N06采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = 60V，漏极电流ID = 30A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 33 mΩ
- 采用高密度单元设计，实现超低导通电阻Rdson
- 具备完整的雪崩电压和电流特性
- 高单脉冲雪崩能量EAS，稳定性和一致性良好
- 采用散热性能出色的封装
- 采用特殊工艺技术，具备高静电放电（ESD）能力
应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源