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IAUCN04S7N009ATMA1
40 V汽车级功率MOSFET
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IAUCN04S7N009ATMA1
- 商品编号
- C22405621
- 商品封装
- TDSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.145克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 268A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.96mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 129W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@60uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 74nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.06nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 113pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.94nF |
商品概述
这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- 30 V，-12 A，VGS = -10 V时，RDS(ON) = 30 mΩ
- 快速开关
- 有环保型器件可供选择
- 适用于-4.5V栅极驱动应用
应用领域
- 笔记本电脑-负载开关-电池保护-手持仪器
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