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ISC151N20NM6ATMA1
N沟道 200V 74A
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- 描述
- 特性：N沟道，正常电平。 极低的导通电阻Rps(on)。 出色的栅极电荷×Rps(on)乘积（FOM）。 极低的反向恢复电荷（Qrr）。 175°C工作温度。 无铅引脚镀层；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤。 根据J-STD-020标准进行MSL 1分类。 100%雪崩测试
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- ISC151N20NM6ATMA1
- 商品编号
- C22405839
- 商品封装
- TDSON-8(5x5.9)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 74A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 200W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@105uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 490pF |
商品特性
- N沟道，常电平
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（品质因数FOM）
- 极低的反向恢复电荷（Q_rr）
- 工作温度达175℃
- 引脚无铅电镀；符合RoHS标准
- 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
- 根据J-STD-020标准分类为MSL 1
- 100%经过雪崩测试