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IQDH29NE2LM5ATMA1
OptiMOs 5功率晶体管，25 V
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- 描述
- 特性：N- 沟道，逻辑电平。 极低的导通电阻 RDS(on)。 卓越的热阻。 100% 雪崩测试。 无铅镀铅；符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 标准无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IQDH29NE2LM5ATMA1
- 商品编号
- C22405840
- 商品封装
- TSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.338889克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 789A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.35mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 278W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@1448uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 254nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 17nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 660pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 7nF |
商品特性
- N沟道、逻辑电平
- 极低导通电阻RDS(on)
- 出色的热阻性能
- 100%雪崩测试
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准
- 符合IEC61249-2-21标准的无卤要求