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FH8200B
N-MOS管
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- 描述
- Type/N+N，VDS (MIN)V/20，ID 25℃(A)/12，Vgs (±V)/12，ESD Diode//，4.5V（Typ)/8，2.5V（Typ)/10
- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH8200B
- 商品编号
- C22396933
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.11796克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.9nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
FH8902K采用先进的沟槽技术，可提供出色的 RDS(on)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20V,ID = 12A
- 在VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 13mΩ
- 在VGS = 3.8V时,RDS(ON) < 13.5mΩ
- 在VGS = 2.5V时,RDS(ON) < 15mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 产品无铅
- 表面贴装封装
应用领域
- 单向负载开关
- 双向负载开关