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FH45P16G6
P沟道 耐压:17V 电流:45A
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- 描述
- Type/P，VDS (MIN)V/-17，ID 25℃(A)/-45，Vgs (±V)/12，ESD Diode//，4.5V（Typ)/6.5，2.5V（Typ)/9.5
- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH45P16G6
- 商品编号
- C22396937
- 商品封装
- PDFN3.3x3.3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.11732克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 17V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.4mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 41W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 47.6nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
FH8808G2是高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。
商品特性
- 超高密度单元设计，实现低导通电阻RDS(ON)
- 坚固可靠
- 表面贴装封装
- 具备ESD保护
应用领域
- PWM应用-负载开关