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FH3415E
P沟道 耐压:20V 电流:4A
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- 描述
- Type/P，VDS (MIN)V/-20，ID 25℃(A)/-4.0，Vgs (±V)/12，ESD Diode//，4.5V（Typ)/38，2.5V（Typ)/46
- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH3415E
- 商品编号
- C22396939
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0344克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 911pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 114pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 126pF |
商品概述
这款N沟道SGT MOSFET专为实现极低的导通电阻和卓越的EAS性能而设计，尤其适用于电池管理系统（BMS）和电机驱动应用。
商品特性
- VDS = -20 V;ID = -4.0 A
- RDS(ON)(典型值) = 38 mΩ @VGS=-4.5V
- RDS(ON)(典型值) = 46 mΩ @VGS=-2.5V
- 沟槽技术
- 快速开关
- 高功率和电流处理能力
- SMD封装(SOT-23)
- 符合MSL-3标准
应用领域
-低开关DC-DC转换器-锂离子电池保护