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FH4602KC
N沟道+P沟道 耐压:20V
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- 描述
- Type/N+P，VDS (MIN)V/20/-20，ID 25℃(A)/5.8/-4.2，Vgs (±V)/12，ESD Diode//，4.5V（Typ)/17/29，2.5V（Typ)/19/36
- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH4602KC
- 商品编号
- C22396942
- 商品封装
- SOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.040967克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A；5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 29mΩ@4.5V；17mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.8nC@4.5V；16nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 692pF；772pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF；107pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 113pF；95pF |
商品概述
FH3108D采用深沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷，适用于多种应用场景。
商品特性
- N沟道:VDS = 20 V, ID = 5.8 A
- 导通电阻RDS(ON)(典型值) = 17 mΩ @ VGS = 4.5 V
- 导通电阻RDS(ON)(典型值) = 19 mΩ @ VGS = 2.5 V
- P沟道:VDS = -20 V, ID = -4.2 A
- 导通电阻RDS(ON)(典型值) = 29 mΩ @ VGS = -4.5 V
- 导通电阻RDS(ON)(典型值) = 36 mΩ @ VGS = -2.5 V
应用领域
-高频开关和同步整流-DC/DC转换器-表面贴装封装