FH1806G
N沟道 耐压:60V 电流:80A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- Type/N,VDS (MIN)V/60,ID 25℃(A)/80,Vgs (±V)/20,ESD Diode//,4.5V(Typ)//,2.5V(Typ)//
- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH1806G
- 商品编号
- C22396948
- 商品封装
- PDFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.17944克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 38W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 76nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.009nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 201pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 243pF |
商品概述
FH4811A系列采用先进功率创新设计和硅工艺技术,以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。它为设计人员提供了一种极其高效的器件,可广泛应用于各种电源领域。 SO-8封装在所有采用红外回流技术的商业-工业表面贴装应用中广受青睐,适用于电压转换或开关应用。
商品特性
- 漏源极电压VDSS = 60 V,漏极电流ID = 80 A,在栅源电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(ON) = 7.9 mΩ(最大值)
- 100%经过雪崩测试
- 易于使用和驱动
- 符合RoHS标准
应用领域
-DC/DC转换器-电池充放电保护-负载开关-同步整流
