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FH8812A
N沟道 耐压:20V 电流:8.2A
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- 描述
- VDS(MIN)20V,ID25℃(8.2A),Vgs (±V)12,Vth(0.4~1V)
- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH8812A
- 商品编号
- C22396977
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0444克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.18nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 123pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 192pF |
商品概述
SI2305A是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 SI2305A符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。 超低栅极电荷 提供绿色环保器件 出色的CdV/dt效应抑制 先进的高单元密度沟槽技术
商品特性
- VDS = 20 V,ID = 8.2 A
- RDS(ON)(典型值)= 9.4 mΩ @ VGS = 4.5 V
- RDS(ON)(典型值)= 10 mΩ @ VGS = 3.8 V
- RDS(ON)(典型值)= 11 mΩ @ VGS = 3.1 V
- RDS(ON)(典型值)= 12 mΩ @ VGS = 2.5 V
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
- 快速开关
- ESD等级:2000V HBM
应用领域
- PWM应用
- 负载开关