- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FH5010TL
N-MOS管
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- Type/N，VDS (MIN)V/100，ID 25℃(A)/300，Vgs (±V)/20，ESD Diode//，4.5V（Typ)//，2.5V（Typ)//
- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH5010TL
- 商品编号
- C22396957
- 商品封装
- TOLL-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.059克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.6Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 333W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 167nC | |
| 输入电容(Ciss) | 12.574nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 196pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.036nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
FH5010TL是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管,采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。
商品特性
- VDS = 100 V;ID = 300 A
- RDS(ON)(典型值):在VGS = 10V时为1.6 mΩ
- 表面贴装封装
- 先进的沟槽单元设计
应用领域
-高功率逆变器系统-液晶电视设备-负载开关