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FH3210BS
耐压:100V 电流:120A
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- 描述
- Type/N，VDS (MIN)V/100，ID 25℃(A)/120，Vgs (±V)/20，ESD Diode//，4.5V（Typ)//，2.5V（Typ)//
- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH3210BS
- 商品编号
- C22396955
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.995375克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.4mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 192W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 51.3nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
采用先进沟槽技术设计的N沟道功率MOSFET。该器件具有出色的栅极电荷和导通电阻RDS(on)，可大幅降低开关和导通损耗。因此，非常适用于AC/DC电源转换、负载开关和工业电源应用。
商品特性
- 在VGS = 10 V时,RDS(ON) ≤ 5.4 mΩ
- 超高密度单元设计,实现极低的RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
应用领域
- 电源管理
- DC/DC转换器
- 负载开关