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FH1804GSB
耐压:40V 电流:80A
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- 描述
- Type/N+N，VDS (MIN)V/40，ID 25℃(A)/80/60，Vgs (±V)/20，ESD Diode//，4.5V（Typ)/5.7，2.5V（Typ)//
- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH1804GSB
- 商品编号
- C22396944
- 商品封装
- PDFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18762克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 42W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.105nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 31pF | |
| 输出电容(Coss) | 246pF |
商品概述
FH1804GSB采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)），适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 40 V；漏极电流（ID） = 60 A / 80 A
- 栅源电压（VGS） = 10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 4.0 mΩ（典型值）
- 栅源电压（VGS） = 4.5 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 5.7 mΩ（典型值）
- 高密度单元设计，实现超低Rdson
- 雪崩电压和电流特性经过全面表征
- 高雪崩能量（EAS），稳定性和均匀性良好
- 采用散热性能出色的封装形式
应用领域
-电机驱动器-功率开关应用-计算机中的DC/DC转换器-液晶电视电器