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FH1904G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FH1904G

N沟道 耐压:40V 电流:90A

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描述
Type/N,VDS (MIN)V/40,ID 25℃(A)/90,Vgs (±V)/20,ESD Diode//,4.5V(Typ)/3.4,2.5V(Typ)//
品牌名称
鑫飞宏
商品型号
FH1904G
商品编号
C22396945
商品封装
PDFN5X6-8L​
包装方式
袋装
商品毛重
0.19278克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)90A
导通电阻(RDS(on))3.9mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)36W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)112nC
输入电容(Ciss)6.86nF
反向传输电容(Crss)276pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)455pF

商品概述

FH3415E是采用沟槽技术、塑料封装(SOT-23)的P沟道增强型MOSFET。

商品特性

  • VDS = -20 V;ID = -4.0 A
  • RDS(ON)(典型值) = 38 mΩ @VGS~~- 4.5V
  • RDS(ON)(典型值) = 46 mΩ @VGS~~- 2.5V
  • 沟槽技术
  • 快速开关
  • 高功率和电流处理能力
  • SMD封装(SOT-23)
  • 符合MSL-3标准

应用领域

  • 低开关DC-DC转换器-锂离子电池保护

数据手册PDF