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FH1904G
N沟道 耐压:40V 电流:90A
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- 描述
- Type/N，VDS (MIN)V/40，ID 25℃(A)/90，Vgs (±V)/20，ESD Diode//，4.5V（Typ)/3.4，2.5V（Typ)//
- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH1904G
- 商品编号
- C22396945
- 商品封装
- PDFN5X6-8L
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.19278克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.9mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 36W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 112nC | |
| 输入电容(Ciss) | 6.86nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 276pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 455pF |
商品概述
FH3415E是采用沟槽技术、塑料封装（SOT-23）的P沟道增强型MOSFET。
商品特性
- VDSS = 40V,ID = 90A
- RDS(ON) = 2.3 mΩ(典型值),VGS = 10 V
- RDS(ON) = 3.4 mΩ(典型值),VGS = 4.5 V
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 100%保证EAS
应用领域
- 负载开关
- 不间断电源
- 硬开关和高频电路