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FH3415K+
P沟道 耐压:20V 电流:4.3A
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- 描述
- Type/P，VDS (MIN)V/-20，ID 25℃(A)/-4.3，Vgs (±V)/10，ESD Diode/Yes，4.5V（Typ)/32，2.5V（Typ)/38
- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH3415K+
- 商品编号
- C22396941
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0412克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.2nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
FH3415K+采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用，具备ESD保护功能。
商品特性
- VDS = -20 V, ID = -4.3 A
- RDS(ON)(典型值) = 30 m Ω @ V GS = - 5.0 V
- RDS(ON)(典型值) = 32 m Ω @ V GS = - 4.5 V
- RDS(ON)(典型值) = 38 m Ω @ V GS = - 2.5 V
- ESD等级:2000V HBM
- 高功率和电流处理能力
- 产品无铅
- 表面贴装封装
应用领域
-PWM应用-负载开关