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FH3415M
P沟道 耐压:20V 电流:2.7A
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- 描述
- Type/P，VDS (MIN)V/-20，ID 25℃(A)/-2.7，Vgs (±V)/12，ESD Diode//，4.5V（Typ)/74，2.5V（Typ)/98
- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH3415M
- 商品编号
- C22396938
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 128mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 497pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 81pF |
商品概述
FH1208G4是采用沟槽技术、塑封（DFN2x2-6L）的P沟道增强型MOSFET。
商品特性
- VDS = -20 V;ID = -2.7 A
- RDS(ON)(典型值)= 73 mΩ,@ VGS = -5.0 V
- RDS(ON)(典型值)= 74 mΩ,@ VGS = -4.5 V
- RDS(ON)(典型值)= 98 mΩ,@ VGS = -2.5 V
- 逻辑电平兼容
- 贴片封装(SOT - 23)
- 沟槽技术
- 快速开关
应用领域
-PWM应用-电源管理-负载开关