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FH1208G4
P沟道 耐压:16V 电流:16A
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- 描述
- Type/P，VDS (MIN)V/-16，ID 25℃(A)/-16，Vgs (±V)/12，ESD Diode//，4.5V（Typ)/8，2.5V（Typ)/11
- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH1208G4
- 商品编号
- C22396935
- 商品封装
- DFN-6L(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.040833克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 16V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 4.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.895nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 268pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 397pF |
商品概述
FH4504TL是采用高单元密度DMOS沟槽技术制造的N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管。这种高密度工艺专门设计用于最小化导通电阻。
商品特性
- 表面贴装封装
- 先进的沟槽单元设计
应用领域
- 高功率逆变器系统
- 液晶电视设备
- 负载开关