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FH8808G2
N沟道 耐压:20V 电流:9.5A
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- 描述
- Type/N+N，VDS (MIN)V/20，ID 25℃(A)/9.5，Vgs (±V)/12，ESD Diode/Yes，4.5V（Typ)/8.3，2.5V（Typ)/11.5
- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH8808G2
- 商品编号
- C22396932
- 商品封装
- DFN-6L(2x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0485克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12.7mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.56W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 980pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 189pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 213pF |
商品概述
SWF20N65可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 220/TO - 220F，符合RoHS标准。
商品特性
- 超高密度单元设计,实现低导通电阻RDS(ON)
- 坚固可靠
- 表面贴装封装
- 具备ESD保护
应用领域
-PWM应用-负载开关