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SM36T1G
单向ESD 36V截止 峰值浪涌电流：4A@8/20us
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- 描述
- 这些双片式硅浪涌保护二极管专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用场景。其双结共阳极设计仅用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- SM36T1G
- 商品编号
- C233425
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 单向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 36V | |
| 钳位电压 | 60V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 4A@8/20us | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 300W@8/20us |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 击穿电压 | 46.95V | |
| 反向电流(Ir) | 1uA | |
| 通道数 | 双路 | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-5；IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 45pF |
商品概述
这些双片式硅浪涌保护二极管专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用场景。其双结共阳极设计仅用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。
商品特性
- SOT−23封装，可实现两种独立的单向配置或单一双向配置
- 工作峰值反向电压范围：5.0 V至24 V
- 峰值功率：300瓦（8×20 μs）
- 低泄漏电流
- 阻燃等级：UL 94 V - 0
- 汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用采用SZ前缀；符合AEC−Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力
- 这些器件为无铅器件
应用领域
- 计算机
- 打印机
- 商用机器
- 通信系统
- 医疗设备
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交4单