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MMBZ12VALT1G
单向ESD 8.5V截止 峰值浪涌电流：2.35A
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- 描述
- 这些双片式齐纳二极管专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用场景。其双结共阳极设计仅用一个封装就能保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- MMBZ12VALT1G
- 商品编号
- C236181
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 单向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 8.5V | |
| 钳位电压 | 17V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 2.35A | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 40W@1ms |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 击穿电压 | 12V | |
| 反向电流(Ir) | 200nA | |
| 通道数 | 双路 | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD |
商品概述
这些双片式齐纳二极管专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用场景。其双结共阳极设计仅用一个封装就能保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。
商品特性
- SOT−23封装，可实现两种独立的单向配置或单个双向配置
- 标准齐纳击穿电压范围 - 5.6 V至47 V
- 峰值功率 - 按图6波形，在1.0 ms时为24或40 W（单向）
- 静电放电等级： - 按人体模型为3B级（>16 kV） - 按机器模型为C级（>400 V）
- IEC61000−4−2 4级静电放电等级，±30 kV接触放电
- 峰值脉冲电流下的最大钳位电压
- 低泄漏电流 <5.0 μA
- 阻燃等级UL 94 V - 0
- 适用于汽车及其他需要特定产地和控制变更要求的应用的SZ前缀；符合AEC−Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
- 计算机
- 打印机
- 商用机器
- 通信系统
- 医疗设备
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 10 个)个
起订量：10 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交2单