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SZESD7371HT1G
单向ESD 5.3V截止
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- 描述
- ESD7371系列旨在保护需要超低电容的电压敏感元件，使其免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低电容、高击穿电压、高线性度、低泄漏和快速响应时间，使这些器件非常适合在电路板空间有限的设计中用于ESD保护。它在不同电压下具有行业领先的电容线性度，非常适合射频（RF）应用。这种电容线性度与极小的封装和低插入损耗相结合，使其非常适合用于无线手机和终端的天线线路应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- SZESD7371HT1G
- 商品编号
- C233493
- 商品封装
- SOD-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 单向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 5.3V | |
| 钳位电压 | 15V | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | - | |
| 击穿电压 | 7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向电流(Ir) | 50nA | |
| 通道数 | 单路 | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 0.7pF |
商品概述
ESD7371系列旨在保护需要超低电容的电压敏感元件，使其免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低电容、高击穿电压、高线性度、低泄漏和快速响应时间，使这些器件非常适合在电路板空间有限的设计中用于ESD保护。它在不同电压下具有行业领先的电容线性度，非常适合射频（RF）应用。这种电容线性度与极小的封装和低插入损耗相结合，使其非常适合用于无线手机和终端的天线线路应用。
商品特性
- 行业领先的电压下电容线性度
- 低电容（最大0.7 pF，I/O到地）
- 耐受电压：5.3 V
- 低泄漏电流：<1 nA
- 低动态电阻 <1 Ω
- IEC61000 - 4 - 2 四级ESD保护
- 可承受1000次IEC61000 - 4 - 2标准的ESD冲击，±8 kV接触/空气放电
- 带有SZ前缀，适用于汽车及其他有独特产地和控制变更要求的应用；符合AEC - Q101标准，可提供生产件批准程序（PPAP）文件
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），符合RoHS标准
应用领域
- RF信号ESD保护
- RF开关、功率放大器（PA）和天线ESD保护
- 近场通信
- USB 2.0、USB 3.0
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单