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MA3075WALT1G
单向ESD 6.5V截止
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- 描述
- 这些双片式齐纳二极管专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用场景。其双结共阳极设计仅用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- MA3075WALT1G
- 商品编号
- C233442
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 单向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 6.5V | |
| 钳位电压 | - | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 15W@100us | |
| 击穿电压 | 7.9V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向电流(Ir) | 60uA | |
| 通道数 | 双路 | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 80pF |
商品概述
这些双片式齐纳二极管专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用场景。其双结共阳极设计仅用一个封装就能保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。
商品特性
- SOT - 23封装，支持两种独立的单向配置
- 低漏电流 < 1μA（5.0 V时）
- 击穿电压：7.2 - 7.9 V（5 mA时）
- 低电容（0 V、1 MHz时典型值为80 pF）
- 静电放电保护符合：人体模型16 kV、空气和接触放电30 kV
- 汽车及其他需要特定产地和控制变更要求的应用采用SZ前缀；符合AEC - Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），符合RoHS标准
应用领域
- 计算机
- 打印机
- 商用机器
- 通信系统
- 医疗设备