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VND10N06TR-E
全自保护型功率MOSFET
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- 描述
- OMNIFET：全自动保护功率MOSFET
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- VND10N06TR-E
- 商品编号
- C2149912
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.476克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率电子开关 | |
| 类型 | 高侧开关 | |
| 通道数 | 1 | |
| 输入控制逻辑 | 高电平有效 | |
| 最大连续电流 | 10A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 0V~16V | |
| 导通电阻 | 300mΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 特性 | 过热保护(OTP)；短路保护(SCP)；过流保护(OCP) |
商品概述
VND10N06 和 VND10N06-1 是采用 STMicroelectronics VIPower M0-2 技术设计的单片器件，旨在替代直流到50KHz应用中的标准功率MOSFETs。内置热关断、线性电流限制和过电压钳位保护芯片在恶劣环境中免受损害。