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STD20NF20
1个N沟道 耐压:200V 电流:18A
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- 描述
- N沟道,200V,18A,1.25Ω@10V
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD20NF20
- 商品编号
- C221449
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.475克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 125mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 940pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 197pF |
商品概述
采用独特的STripFET工艺实现的这款功率MOSFET系列专门设计用于最小化输入电容和栅极电荷。因此，它适合用作先进高效隔离式DC-DC转换器中的初级开关。
商品特性
- 出色的dv/dt能力
- 低栅极电荷
- 100%雪崩测试
应用领域
- 开关应用