SSM3J15CT,L3F
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12Ω@4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 100mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V@0.1mA | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
TAV1-551+ 是一款采用 E-PHEMPT* 技术制造的低噪声、高增益器件，可在单正电源电压下工作。它具有出色的噪声系数，尤其是在 2.5 GHz 以下，并且在单个器件中将该噪声系数与增益相结合，使其成为多种应用的理想放大器。
商品特性
- 低噪声系数，在 0.9 GHz 时典型值为 0.5 dB
- 增益，在 0.9 GHz 时典型值为 20.9 dB
- 高输出三阶交调截点（IP3），在 2 GHz、4V 时为 +24 dBm
- 1dB 压缩点输出功率，+20dBm，4V
- 宽带宽
- 需要外部偏置和匹配
- 符合 RoHS 标准
- 增强型赝配高电子迁移率晶体管
应用领域
- 蜂窝通信
- 工业、科学和医疗（ISM）频段
- 全球移动通信系统（GSM）
- 宽带码分多址（WCDMA）
- 全球微波互联接入（WiMax）
- 无线局域网（WLAN）
- 无许可国家信息基础设施（UNII）
- 高速无线局域网（HIPERLAN）