温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SSM14N956L,EFF
N沟道 耐压:12V 电流:20A
SMT扩展库PCB免费打样
- 描述
- 特性：低源极-源极导通电阻：ΔRₛₛ(ₒₙ) = 1.1 mΩ（典型值）(@V_GS = 3.8 V)；ΔRₛₛ(ₒₙ) = 1.0 mΩ（典型值）(@V_GS = 4.5 V)。 RoHS兼容。 无卤。应用：电池保护电路
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM14N956L,EFF
- 商品编号
- C20247096
- 商品封装
- DFN-14(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.054克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5mΩ@3.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.33W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V@1.57mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 76nC@4.0V | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
G2K3N10L6采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷，适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS：100V
- 漏极电流ID（栅源电压VGS = 10V时）：3A
- 导通电阻RDS(ON)（栅源电压VGS = 10V时）：< 220mΩ
- 导通电阻RDS(ON)（栅源电压VGS = 4.5V时）：< 230mΩ
- 100%经过雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器