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FF33MR12W1M1HPB11BPSA1引脚图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FF33MR12W1M1HPB11BPSA1

FF33MR12W1M1HPB11BPSA1

商品型号
FF33MR12W1M1HPB11BPSA1
商品编号
C20190924
包装方式
托盘
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)1.2kV
连续漏极电流(Id)25A
导通电阻(RDS(on))32.3mΩ@18V
耗散功率(Pd)-
阈值电压(Vgs(th))4.3V
栅极电荷量(Qg)74nC
属性参数值
输入电容(Ciss)2.2nF
反向传输电容(Crss)7pF
工作温度-40℃~+175℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)105pF
栅极电压(Vgs)-

商品特性

  • 电气特性
  • VDSS = 1200 V
  • IDN = 25 A / IDRM = 50 A
  • 低电感设计
  • 低开关损耗
  • 机械特性
  • 集成安装夹,安装稳固
  • 压配式(PressFIT)接触技术
  • 集成 NTC 温度传感器
  • 预涂热界面材料

应用领域

-高频开关应用-DC/DC 转换器-电机驱动器-UPS 系统

数据手册PDF