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BSC093N15NS5SCATMA1
OptiMOs 5功率晶体管，150 V
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- 描述
- 特性：双侧冷却封装，具有最低的结到顶部热阻。 N沟道，正常电平。 出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积（FOM）。 极低的导通电阻 RDS(on)。 极低的反向恢复电荷（Qrr）。 175℃工作温度。 无铅镀铅；符合RoHS标准。 适用于高频开关和同步整流
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSC093N15NS5SCATMA1
- 商品编号
- C20189655
- 商品封装
- TDSON-8-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 89A | |
| 耗散功率(Pd) | 167W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 40.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.23nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 26pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 803pF |
商品概述
采用三引脚TO247塑料封装的碳化硅MOSFET，专为高频、高效系统设计。
商品特性
- 双侧散热封装,具备极低的结到顶部热阻
- N沟道,常电平
- 出色的栅极电荷与导通电阻RDS(on)乘积(品质因数FOM)
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 极低的反向恢复电荷(Qrr)
- 工作温度可达175 °C
- 引脚无铅电镀;符合RoHS标准
- 非常适合高频开关和同步整流应用
应用领域
- 开关模式电源
- 不间断电源（UPS）
- 太阳能串式逆变器和太阳能优化器
- 电动汽车充电器
- 电机驱动器
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