商品参数
参数完善中
商品概述
采用TO247-4L塑料封装的碳化硅MOSFET，专为高频、高效系统设计。 无卤 无铅
商品特性
- 电气特性
- 漏源极击穿电压(VDSS) = 1200 V
- 额定电流(IDN) = 560 A / 重复峰值电流(IDRM) = 1120 A
- 高电流密度
- 低开关损耗
- 机械特性
- 4 kV交流耐压1分钟
应用领域
- 不间断电源(UPS)系统
- 太阳能应用
- 直流-直流(DC/DC)转换器
- 高频开关应用
- 储能系统
- 电动汽车直流充电器
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