CY15B102QM-50SWXI

EXCELON™ LP CY15B102QM是一款采用先进铁电工艺的低功耗2 Mbit非易失性存储器。铁电随机存取存储器（F-RAM）是非易失性的，其读写操作与RAM类似。它能够可靠地保存数据达151年，同时消除了串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。 与串行闪存和EEPROM不同，CY15B102QM能够以总线速度执行写操作，不会产生写延迟。每个字节成功传输到设备后，数据会立即写入存储阵列，下一个总线周期无需进行数据轮询即可开始。此外，与其他非易失性存储器相比，该产品具有显著的写耐久性。CY15B102QM能够支持10¹⁵次读写循环，比EEPROM的写循环次数多100亿倍。 这些特性使CY15B102QM非常适合需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用。应用范围从对写循环次数要求较高的数据采集，到对串行闪存或EEPROM长写入时间可能导致数据丢失有严格要求的工业控制。 CY15B102QM作为串行EEPROM或闪存的硬件直接替代品，为用户带来了显著的好处。CY15B102QM使用高速SPI总线，增强了F-RAM技术的高速写入能力。该设备集成了只读设备ID和唯一ID功能，使主机能够确定每个部件的制造商、产品密度、产品版本和唯一ID。该设备还提供了可写的8字节序列号寄存器，可用于识别特定的电路板或系统。

• 2 Mbit铁电随机存取存储器（F-RAM），逻辑组织为256 K × 8
• 几乎无限的耐久性，可达1000万亿（10¹⁵）次读写循环
• 151年数据保留期
• 英飞凌即时非易失性写入技术
• 先进的高可靠性铁电工艺
• 快速SPI（FSPI）
• 最高50 MHz频率
• 支持SPI模式0（0, 0）和模式3（1, 1）
• 精密的写保护方案
• 使用写保护（WP）引脚进行硬件保护
• 对1/4、1/2或整个阵列进行软件块保护
• 设备ID和序列号
• 设备ID包含制造商ID和产品ID
• 唯一ID
• 序列号
• 专用256字节特殊扇区F-RAM
• 专用特殊扇区读写
• 存储内容可承受多达三次标准回流焊接周期
• 低功耗
• 40 MHz时典型工作电流为2.4 mA
• 典型待机电流为2.3 μA
• 典型深度掉电模式电流为0.70 μA
• 典型休眠模式电流为0.1 μA
• 低电压操作
• CY15B102QM：VDD = 1.8 V ~ 3.6 V
• 工业工作温度：-40°C ~ +85°C
• 8引脚小外形集成电路（SOIC）封装
• 符合有害物质限制（RoHS）标准