CY15B201QN-50SXE

EXCELON Auto CY15X201QN是一款采用先进铁电工艺的汽车级1-Mb非易失性存储器。铁电随机存取存储器（F-RAM）是非易失性的，读写操作与RAM类似。它能可靠保存数据达121年，同时消除了串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。 与串行闪存和EEPROM不同，CY15X201QN能以总线速度进行写操作，无写延迟。每个字节成功传输到设备后，数据立即写入存储阵列，下一个总线周期无需数据轮询即可开始。此外，与其他非易失性存储器相比，该产品具有出色的写耐久性。CY15X201QN能够支持10¹³次读写循环，比EEPROM的写循环次数多1000万倍。 这些特性使CY15X201QN非常适合需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用。应用示例包括对写循环次数要求较高的数据采集，以及串行闪存或EEPROM写时间过长可能导致数据丢失的严苛工业控制场景。 CY15X201QN作为串行EEPROM或闪存的硬件直接替代产品，为用户带来显著优势。CY15X201QN采用高速SPI总线，增强了F-RAM技术的高速写入能力。该设备集成了只读设备ID和唯一ID功能，使主机能够确定每个部件的制造商、产品密度、产品版本和唯一ID。此外，设备还提供可写的8字节序列号寄存器，可用于识别特定电路板或系统。 CY15X201QN是一款串行F-RAM存储器，存储阵列逻辑上组织为131,072×8位，通过行业标准的串行外设接口（SPI）总线进行访问。F-RAM的功能操作与串行闪存和串行EEPROM类似。CY15X201QN与具有相同引脚排列的串行闪存或EEPROM的主要区别在于F-RAM具有卓越的写性能、高耐久性和低功耗。 访问CY15X201QN时，用户可寻址128K个位置，每个位置包含8个数据位。这8个数据位以串行方式移入或移出。使用SPI协议访问地址，该协议包括片选（允许总线上有多个设备）、操作码和三字节地址。地址范围的高7位为“无关”值。

• 1-Mb铁电随机存取存储器（F-RAM），逻辑上组织为128 K×8
• 几乎无限的耐久性，可达10万亿（10¹³）次读写循环
• 121年数据保留（参见数据保留和耐久性）
• 英飞凌即时非易失性写入技术
• 先进的高可靠性铁电工艺
• 快速串行外设接口（SPI）
• 最高50 MHz频率
• 支持SPI模式0（0, 0）和模式3（1, 1）
• 复杂的写保护方案
• 使用写保护（WP）引脚进行硬件保护
• 使用写禁用（WRDI）指令进行软件保护
• 对1/4、1/2或整个阵列进行软件块保护
• 设备ID和序列号
• 设备ID包括制造商ID和产品ID
• 唯一ID
• 序列号
• 专用256字节特殊扇区F-RAM
• 专用特殊扇区读写
• 存储内容可承受多达3次标准回流焊接循环
• 低功耗
• 40 MHz时典型工作电流为4.3 mA
• 典型待机电流为3.2 μA
• 深度掉电模式典型电流为1.3 μA
• 休眠模式典型电流为0.1 μA
• 低电压操作
• CY15B201QN：VDD = 1.8 V至3.6 V
• 汽车工作温度：-40°C至+125°C
• 符合AEC-Q100 1级标准
• 8引脚小外形集成电路（SOIC）封装
• 符合有害物质限制（RoHS）标准