CY15V108QN-50BKXQ

EXCELON™ LP CY15X108QN是一款采用先进铁电工艺的低功耗8兆位非易失性存储器。铁电随机存取存储器（F-RAM）是非易失性的，其读写操作与随机存取存储器类似。它能提供119年可靠的数据保留时间，同时消除了串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。

与串行闪存和EEPROM不同，CY15X108QN能以总线速度执行写操作，不会产生写延迟。每个字节成功传输到设备后，数据会立即写入存储阵列。下一个总线周期无需数据轮询即可开始。此外，与其他非易失性存储器相比，该产品具有显著的写耐久性。CY15X108QN能够支持10¹⁴次读写循环，比EEPROM的写循环次数多一亿倍。

这些特性使CY15X108QN非常适合需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用。应用示例范围从写循环次数可能至关重要的数据收集，到串行闪存或EEPROM的长写入时间可能导致数据丢失的严苛工业控制。

CY15X108QN作为串行EEPROM或闪存的硬件直接替代品，为用户带来了显著的好处。CY15X108QN使用高速SPI总线，增强了F-RAM技术的高速写入能力。该设备集成了只读设备ID和唯一ID功能，使主机能够确定每个部件的制造商、产品密度、产品版本和唯一ID。该设备还提供了可写的8字节序列号寄存器，可用于识别特定的电路板或系统。

CY15X108QN是一款串行F-RAM存储器。存储阵列在逻辑上组织为1,048,576 × 8位，并使用行业标准的串行外设接口（SPI）总线进行访问。F-RAM的功能操作与串行闪存和串行EEPROM类似。CY15X108QN与具有相同引脚排列的串行闪存或EEPROM的主要区别在于F-RAM具有卓越的写入性能、高耐久性和低功耗。

访问CY15X108QN时，用户可对1024K个位置进行寻址，每个位置包含8位数据。这8位数据以串行方式移入或移出。使用SPI协议对地址进行访问，该协议包括片选（允许总线上有多个设备）、操作码和三字节地址。地址范围的高四位为“无关”值。20位的完整地址唯一指定了每个字节地址。

CY15X108QN的大多数功能由SPI接口控制或由板载电路处理。除了串行协议所需的时间外，存储器操作的访问时间基本为零。也就是说，存储器以SPI总线的速度进行读写。与串行闪存或EEPROM不同，由于写入操作以总线速度进行，因此无需轮询设备的就绪状态。

• 8兆位铁电随机存取存储器（F-RAM），逻辑上组织为1024K × 8
• 几乎无限的耐久性，可进行100万亿（10¹⁴）次读写操作
• 151年的数据保留时间
• 英飞凌即时非易失性写入技术
• 先进的高可靠性铁电工艺
• 快速SPI（FSPI）
• 最高50 MHz频率
• 支持SPI模式0（0, 0）和模式3（1, 1）
• 精密的写保护方案
• 使用写保护（WP）引脚进行硬件保护
• 使用写禁用（WRDI）指令进行软件保护
• 对1/4、1/2或整个阵列进行软件块保护
• 设备ID和序列号
• 制造商ID和产品ID
• 唯一设备ID
• 序列号
• 专用256字节特殊扇区F-RAM
• 专用特殊扇区读写功能
• 存储内容可承受多达三次标准回流焊接周期
• 低功耗
• 50 MHz时典型工作电流为5.5 mA
• 典型待机电流为9 μA
• 深度掉电模式典型电流为1.10 μA
• 高休眠模式典型电流为0.1 μA
• 低电压操作
• CY15V108QN：VDD = 1.71 V至1.89 V
• CY15B108QN：VDD = 1.8 V至3.6 V
• 工作温度
• 扩展工业级（Q）：-40°C至+105°C
• 封装
• 24球细间距球栅阵列（24-ball FBGA）
• 符合有害物质限制（RoHS）标准