CY15V116QN-40BKXAT
16Mb汽车铁电随机存取存储器（F-RAM），串行（SPI），2048Kx8，40MHz，汽车3级
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- CY15V116QN-40BKXAT
- 商品编号
- C20189695
- 商品封装
- FBGA-24(6x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.166克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 铁电存储器(FRAM) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 工作状态指示 |
商品概述
EXCELON Auto CY15X116QN是一款采用先进铁电工艺的低功耗16兆位非易失性存储器。铁电随机存取存储器（F-RAM）是非易失性的，其读写操作与随机存取存储器类似。它能够可靠地保存数据达151年，同时消除了串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器所带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。
与串行闪存和EEPROM不同，CY15X116QN能够以总线速度执行写操作，不会产生写延迟。每个字节成功传输到设备后，数据会立即写入存储阵列。下一个总线周期可以立即开始，无需进行数据轮询。此外，与其他非易失性存储器相比，该产品具有出色的写耐久性。CY15X116QN能够支持10¹⁴次读写循环，比EEPROM的写循环次数多1亿倍。
这些特性使CY15X116QN非常适合需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用。应用示例包括对写循环次数要求较高的数据采集，以及对串行闪存或EEPROM长写入时间可能导致数据丢失有严格要求的汽车控制。
CY15X116QN作为串行EEPROM或闪存的硬件直接替代品，为用户带来了显著的好处。CY15X116QN采用高速SPI总线，增强了F-RAM技术的高速写入能力。该设备集成了只读设备ID和唯一ID功能，使主机能够确定每个部件的制造商、产品密度、产品版本和唯一ID。此外，该设备还提供了可写的8字节序列号寄存器，可用于识别特定的电路板或系统。
商品特性
- 16兆位铁电随机存取存储器（F-RAM），逻辑组织为2048K×8
- 几乎无限的耐久性，100万亿（10¹⁴）次读写
- 151年的数据保留期
- 英飞凌即时非易失性写入技术
- 先进的高可靠性铁电工艺
- 快速SPI接口
- 最高40 MHz频率
- 支持SPI模式0 (0, 0)和模式3 (1, 1)
- 复杂的写保护方案
- 使用写保护（WP）引脚进行硬件保护
- 使用写禁用（WRDI）指令进行软件保护
- 对1/4、1/2或整个阵列进行软件块保护
- 设备ID和序列号
- 制造商ID和产品ID
- 唯一设备ID
- 序列号
- 专用256字节特殊扇区F-RAM
- 专用特殊扇区读写
- 存储内容可承受多达三次标准回流焊接周期
- 低功耗
- 40 MHz时2.7 mA（典型值）工作电流
- 14 μA（典型值）待机电流
- 1.5 μA（典型值）深度掉电模式电流
- 0.1 μA（典型值）休眠模式电流
- 低电压操作
- CY15V116QN：VDD = 1.71 V至1.89 V
- CY15B116QN：VDD = 1.8 V至3.6 V
- 工作温度：-40°C至+85°C
- 符合AEC-Q100 3级标准
- 封装
- 24球细间距球栅阵列（24-ball FBGA）
- 符合有害物质限制（RoHS）标准