CY15V116QSN-108BKXQ

EXCELON™ Ultra CY15x116QSN是一款高性能的16 Mb非易失性存储器，采用先进的铁电工艺。铁电随机存取存储器（F-RAM）是非易失性的，其读写操作与随机存取存储器类似。它能够可靠地保留数据151年，同时消除了串行闪存和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。

与串行闪存不同，CY15x116QSN能够以总线速度执行写操作，不会产生写延迟。每个字节成功传输到设备后，数据会立即写入存储阵列，下一个总线周期无需数据轮询即可开始。此外，与其他非易失性存储器相比，该产品具有出色的写耐久性。CY15x116QSN能够支持10¹⁴次读写循环，比EEPROM的写循环次数多1亿倍。这些特性使CY15x116QSN非常适合需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用，例如数据收集（写循环次数可能至关重要）以及对串行闪存长写入时间可能导致数据丢失有严格要求的工业控制应用。

CY15x116QSN将16 Mb F-RAM与高速四路SPI（QPI）单数据速率（SDR）和双数据速率（DDR）接口相结合，增强了F-RAM技术的非易失性写入能力。该设备集成了只读设备ID和唯一ID功能，使SPI总线主设备能够确定每个部件的制造商、产品密度、产品版本和唯一ID。该设备还提供一个只读的唯一序列号，可用于识别电路板或系统。

该设备支持片上ECC逻辑，能够检测并纠正每8字节单元数据中的2位错误，还能报告8字节单元数据中的3位错误。CY15x116QSN还支持循环冗余校验（CRC）功能，可用于检查存储阵列中存储数据的完整性。

低电压操作：

• CY15V116QSN：VDD = 1.71 V至1.89 V
• CY15B116QSN：VDD = 1.8 V至3.6 V

工作温度：

• 扩展工业级：-40°C至+105°C

封装：

• 24球细间距球栅阵列（FBGA）

符合有害物质限制（RoHS）标准。

• 16 Mb铁电随机存取存储器（F-RAM），逻辑组织为2048 K × 8
• 几乎无限的耐久性，可达100万亿（10¹⁴）次读写循环
• 151年的数据保留期
• 英飞凌即时非易失性写入技术
• 先进的高可靠性铁电工艺
• 单I/O和多I/O串行外设接口（SPI）
• 串行总线接口SPI协议
• 支持所有SDR模式传输的SPI模式0（0, 0）和模式3f（1, 1）
• 支持所有DDR模式传输的SPI模式0（0, 0）
• 扩展I/O SPI协议
• 双SPI（DPI）协议
• 四路SPI（QPI）协议
• SPI时钟频率
• 高达108 MHz频率的SPI单数据速率（SDR）
• 高达46 MHz频率的SPI双数据速率（DDR）
• 用于内存读写的即取即用（XIP）功能
• 写保护、数据安全和数据完整性
• 使用写保护（WP）引脚进行硬件保护
• 软件块保护
• 嵌入式纠错码（ECC）和循环冗余校验（CRC），以增强数据完整性
• ECC可检测并纠正2位错误。如果发生3位错误，虽不纠正但会通过ECC状态寄存器报告
• CRC可检测原始数据的任何意外更改
• 扩展电子签名
• 设备ID包括制造商ID和产品ID
• 唯一ID
• 用户可编程序列号
• 专用256字节特殊扇区F-RAM
• 专用特殊扇区读写
• 内容可承受多达三次标准回流焊循环
• 高速下的低功耗
• 108 MHz SPI SDR时典型有源电流为14 mA
• 108 MHz QSPI SDR时典型有源电流为22 mA
• 46 MHz QSPI DDR时典型有源电流为16.5 mA
• 典型待机电流为115 μA
• 典型深度掉电模式电流为1.4 μA
• 典型休眠模式电流为0.1 μA