CY15V108QSN-108BKXQT

EXCELON™ Ultra CY15x108QSN是一款采用先进铁电工艺的高性能8 Mb非易失性存储器。铁电随机存取存储器（F-RAM）是非易失性的，读写操作与RAM类似。它能够可靠地保存数据达151年，同时消除了串行闪存和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。 与串行闪存不同，CY15x108QSN能够以总线速度执行写操作，不会产生写延迟。每个字节成功传输到器件后，数据会立即写入存储阵列，下一个总线周期无需进行数据轮询即可开始。此外，与其他非易失性存储器相比，该产品具有显著的写耐久性。CY15x108QSN能够支持10¹⁴次读写循环，比EEPROM的写循环次数多1亿倍。这些特性使CY15x108QSN非常适合需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用。例如，在数据收集应用中，写循环次数可能至关重要；在要求苛刻的工业控制中，串行闪存的长写入时间可能导致数据丢失。 CY15x108QSN将8 Mb F-RAM与高速四路SPI（QPI）单数据速率（SDR）和双数据速率（DDR）接口相结合，增强了F-RAM技术的非易失性写入能力。该器件集成了只读器件ID和唯一ID功能，使SPI总线主机能够确定每个部件的制造商、产品密度、产品版本和唯一ID。该器件还提供一个只读唯一序列号，可用于识别电路板或系统。 该器件支持片上ECC逻辑，能够检测并纠正每8字节单位数据中的2位错误，还能报告8字节单位数据中的3位错误。CY15x108QSN还支持循环冗余校验（CRC）功能，可用于检查存储阵列中存储数据的完整性。 低电压运行：

• CY15V108QSN：VDD = 1.71 V 至 1.89 V
• CY15B108QSN：VDD = 1.8 V 至 3.6 V 工作温度：
• 扩展工业级（Q）：-40°C 至 +105°C 封装：
• 24球细间距球栅阵列（FBGA） 符合有害物质限制（RoHS）标准。

• 8 Mb铁电随机存取存储器（F-RAM），逻辑结构为1024 K × 8
• 几乎无限的耐久性，可达100万亿（10¹⁴）次读写循环
• 151年的数据保留期
• 英飞凌即时非易失性写入技术
• 先进的高可靠性铁电工艺
• 单I/O和多I/O串行外设接口（SPI）
• 串行总线接口SPI协议
• 支持所有SDR模式传输的SPI模式0（0, 0）和模式3（1, 1）
• 支持所有DDR模式传输的SPI模式0（0, 0）
• 扩展I/O SPI协议
• 双SPI（DPI）协议
• 四路SPI（QPI）协议
• SPI时钟频率：
  • 高达108 MHz的SPI单数据速率（SDR）
  • 高达46 MHz的SPI双数据速率（DDR）
• 用于内存读写的就地执行（XIP）
• 写保护、数据安全和数据完整性：
  • 使用写保护（WP）引脚进行硬件保护
  • 软件块保护
• 嵌入式纠错码（ECC）和循环冗余校验（CRC），以增强数据完整性：
  • ECC可检测并纠正2位错误。如果发生3位错误，虽不纠正但会通过ECC状态寄存器报告
  • CRC可检测原始数据的任何意外更改
• 扩展电子签名：
  • 设备ID包括制造商ID和产品ID
  • 唯一ID
  • 用户可编程序列号
• 专用256字节特殊扇区F-RAM：
  • 专用特殊扇区读写
  • 内容可承受多达三次标准回流焊循环
• 高速下的低功耗：
  • 108 MHz SPI SDR时典型活动电流为12 mA
  • 108 MHz QSPI SDR时典型活动电流为20 mA
  • 46 MHz QSPI DDR时典型活动电流为15.5 mA
  • 典型待机电流为105 μA
  • 深度掉电模式典型电流为1.1 μA
  • Highbenate模式典型电流为0.1 μA