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CY15B204QN-40SXET

4-Mb汽车铁电随机存取存储器（F-RAM），串行（SPI），512Kx8，汽车1级

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描述: 是一款低功耗、4-Mb非易失性存储器，采用先进的铁电工艺。铁电随机存取存储器（F-RAM）是非易失性的，读写操作与RAM类似。它可提供121年的可靠数据保留，同时消除了串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与串行闪存和EEPROM不同，该产品以总线速度执行写操作，无写延迟。每个字节成功传输到设备后，数据立即写入存储阵列，下一个总线周期无需数据轮询即可开始。此外，与其他非易失性存储器相比，该产品具有更高的写入耐久性，能够支持10¹³次读写循环，比EEPROM多1000万次写入循环
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: CY15B204QN-40SXET
商品编号: C20189689
商品封装: SOIC-8
包装方式: 编带
商品毛重: 16.7克(g)

商品参数

商品概述

EXCELON™ Auto CY15X204QN是一款低功耗、4-Mb非易失性存储器，采用先进的铁电工艺。铁电随机存取存储器（F-RAM）具有非易失性，其读写操作类似于RAM。它在提供121年可靠数据保持的同时，消除了串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与串行闪存和EEPROM不同，CY15X204QN以总线速度执行写操作，不会产生写入延迟。每个字节成功传输到器件后，数据会立即写入存储器阵列，无需数据轮询即可开始下一个总线周期。此外，与其他非易失性存储器相比，该产品提供极高的写入耐久性，能够支持10^13次读写周期，比EEPROM的写入周期多1000亿倍。这些特性使其成为需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用的理想选择，应用范围从写入次数可能至关重要的数据采集，到串行闪存或EEPROM的长写入时间可能导致数据丢失的严苛工业控制领域。CY15X204QN作为硬件直接替换方案，为串行EEPROM或闪存用户带来显著优势。该器件采用高速SPI总线，增强了F-RAM技术的高速写入能力。器件包含只读器件ID和ID功能，允许主机确定制造商、产品密度、产品版本和每个部件的ID。器件还提供可写的8字节序列号寄存器，可用于识别特定电路板或系统。

商品特性

4-Mb铁电随机存取存储器（F-RAM），逻辑组织为512K × 8
近乎无限的耐久性，达1000万亿（10^13）次读写周期
121年数据保持期
英飞凌即时非易失性写入技术
先进的高可靠性铁电工艺
快速串行外设接口（SPI）
频率高达40 MHz
支持SPI模式0（0， 0）和模式3（1， 1）
复杂的写保护方案
使用写保护引脚进行硬件保护
使用写禁用指令进行软件保护
针对1/4、1/2或整个阵列的软件块保护
器件ID和序列号
器件ID包含制造商ID和产品ID
ID
序列号
专用的256字节特殊扇区F-RAM
专用的特殊扇区写入和读取
存储内容可经受最多三次标准回流焊接循环
低功耗
40 MHz下典型工作电流为3.9 mA
典型待机电流为4 μA
典型深度掉电模式电流为1.3 μA
典型休眠模式电流为0.1 μA
低电压工作
CY15V204QN：VDD = 1.71 V 至 1.89 V
CY15B204QN：VDD = 1.8 V 至 3.6 V
汽车级工作温度范围：-40℃ ~ +125℃
符合AEC-Q100 1级标准
封装：8引脚小外形集成电路（SOIC）封装
符合有害物质限制（RoHS）标准

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	铁电存储器(FRAM)
	接口类型	SPI
	存储容量	4Mbit
	工作电压	1.8V~3.6V
	工作电流	-
	时钟频率(fc)	40MHz

	属性	参数值
	待机电流	4uA
	睡眠模式电流(Izz)	-
	工作温度	-40℃~+125℃
	擦写寿命	10000000000000次
	数据保留 - TDR(年)	121年
	功能特性	工作状态指示