CY15B102N-ZS60XET

2-Mbit汽车级铁电随机存取存储器

SMT扩展库PCB免费打样

私有库下单最高享92折

品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: CY15B102N-ZS60XET
商品编号: C20189671
商品封装: TSOPII-44
包装方式: 编带
商品毛重: 0.828克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	铁电存储器(FRAM)

	属性	参数值
	功能特性	-

商品概述

CY15B102N是一款128K×16的非易失性存储器，其读写方式与标准SRAM类似。铁电随机存取存储器（F - RAM）是非易失性的，这意味着断电后数据仍可保留。它能提供超过121年的数据保留时间，同时消除了电池供电SRAM（BBSRAM）的可靠性问题、功能缺陷和系统设计复杂性。快速的写入时序和高写入耐久性使F - RAM优于其他类型的存储器。 CY15B102N的操作与其他RAM设备类似，因此它可以作为系统中标准SRAM的直接替代品。读周期可以由CE触发，也可以通过更改地址触发；写周期可以由CE或WE触发。由于其独特的铁电存储工艺，F - RAM存储器是非易失性的。这些特性使CY15B102N非常适合需要频繁或快速写入的非易失性存储应用。该器件采用400密耳、44引脚的TSOP - II表面贴装封装。器件规格在-40°C至+125°C的汽车E级温度范围内得到保证。

商品特性

2兆比特铁电随机存取存储器（F - RAM），逻辑上组织为128K×16
使用UB和LB可配置为256K×8
高耐久性，10万亿（10¹³）次读写
121年数据保留时间
无延迟写入
页模式操作，周期时间为30纳秒
先进的高可靠性铁电工艺
与SRAM兼容
行业标准的128K×16 SRAM引脚排列
访问时间60纳秒，周期时间90纳秒
软件可编程块写保护
优于电池供电的SRAM模块
无需担心电池问题
单片可靠性
真正的表面贴装解决方案，无需返工步骤
防潮、防震和抗振性能优越
低功耗
工作电流7毫安（典型值）
待机电流120微安（典型值）
低电压操作：VDD = 2.0V至3.6V
汽车E级温度范围：-40°C至+125°C
44引脚薄型小外形封装（TSOP）II型
符合有害物质限制（RoHS）标准

数据手册PDF

放大查看下载PDF