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AIMBG120R040M1XTMA1
1.2kV 54A
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- 描述
- 特性：VDSS = 1200 V，Tvj = -55…175℃。 IDDC = 54 A，Tc = 25℃。 RDS(on) = 40 mΩ，VGS = 20 V，Tvj = 25℃。应用：车载充电器
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- AIMBG120R040M1XTMA1
- 商品编号
- C20189645
- 商品封装
- TO-263-7-12
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.907克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 54A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@20V | |
| 耗散功率(Pd) | 268W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 43nC@20V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.264nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 63pF |
商品特性
- 在Tvj = -55 ... 175°C时,VDSS = 1200 V
- 在TC = 25°C时,IDDC = 54 A
- 在VGS = 20 V、Tvj = 25°C时,RDS(on) = 40 mΩ
- 采用新型性能优化芯片技术(Gen1p),改善RDS(on)优值
- 同类最佳的开关能量,降低开关损耗并减少散热需求
- 最低的器件电容,实现更高的开关速度和功率密度
- 低Crss / Ciss比与高VGS(th)相结合,避免寄生导通并支持单极栅极驱动
- 降低总栅极电荷QGtot,减少驱动功率和损耗
- 提高推荐导通电压(VGS(on) = 20 V),降低RDS(on)
- .XT芯片贴装技术,实现同类最佳的热性能
- 低封装杂散电感,实现更快、更干净的开关
- 检测(开尔文)源极引脚,实现更好的栅极控制并降低开关损耗
- 最小爬电距离5.85 mm(材料组II),无需涂层即可适用于800 V应用
- SMT封装,便于自动化组装并降低系统成本
应用领域
-车载充电器-DC/DC转换器-辅助驱动器
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