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AIMBG120R010M1XTMA1
1200 V碳化硅沟槽MOSFET
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- 描述
- 特性：VDSS = 1200 V，TVj = -55…175℃。 IDDC = 205 A，TC = 25℃。 RDS(on) = 8.7 mΩ，VGS = 20 V，TVj = 25℃。应用：车载充电器
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- AIMBG120R010M1XTMA1
- 商品编号
- C20189644
- 商品封装
- TO-263-7-12
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.55克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 205A | |
| 耗散功率(Pd) | 882W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 178nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 5.703nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 268pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.3mΩ |