- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DF16MR12W1M1HFB67BPSA1
DF16MR12W1M1HFB67BPSA1
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- DF16MR12W1M1HFB67BPSA1
- 商品编号
- C20190886
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.15V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 74nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 105pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32.3mΩ |
商品特性
- 电气特性：
- 漏源极击穿电压（V_DSS） = 1200 V
- 额定漏极电流（I_DN） = 25 A / 重复雪崩击穿漏极电流（I_DRM） = 50 A
- 高电流密度
- 低电感设计
- 机械特性：
- PressFIT 接触技术
- 集成 NTC 温度传感器
- 由于集成安装夹，安装牢固
应用领域
- 太阳能应用
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