EVALBDPSDDTOLGTOBO1

双向开关是一种有源电子开关，可在两个方向上阻断电流，以实现适当的电源管理。此外，这些开关广泛用于保护电池免受短路、反向电压、过电压等异常情况的影响。在两个或多个电源之间进行双向电流阻断是一项必要功能，功率MOSFET可以采用源极到源极或漏极到漏极的配置连接，作为双向保护开关（BDPS）。BDPS可以使用两个N沟道或P沟道FET来实现。由于与P沟道FET相比，N沟道FET的RDS(on)更低且成本更低，因此更受青睐。可以通过在电源（例如电池）的正极或负极连接MOSFET来实现保护。评估板EVAL_BDPS_DD_TOLL/G和EVAL_BDPS_DRIVER分别如图4和图6所示，它们提供了一种使用TOLL或TOLG封装对MOSFET进行快速评估的方法。设计人员可以在实验台上轻松评估MOSFET，或者将这些板插入他们的设计中，以评估MOSFET的功率损耗、短路、雪崩等情况。EVAL_BDPS_DD_TOLL/G评估板是一个双向开关板，采用漏极到漏极配置连接的MOSFET。EVAL_BDPS_DRIVER板用于驱动EVAL_BDPS_DD_TOLL/G板上的MOSFET，它采用2EDF7175F双通道隔离栅极驱动器设计，两个输出通道均单独隔离，具有非常高的150 V/ns共模噪声抗扰度（CMTI）。每个通道可以用1 A源电流和2 A灌电流驱动MOSFET，从而允许设计人员评估并联配置的MOSFET。板上采用了一个隔离式DC - DC转换器，为栅极驱动器的输入和输出通道提供必要的电压。