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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12.9mΩ@3.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.9W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17.5nC@4V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最大程度降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 封装尺寸为1.75mm x 1.75mm的CSP封装
- 典型高度为0.120mm,实现低外形设计
- 栅极具备ESD保护功能
- 完全无铅,符合RoHS标准
- 无卤素和锑,为“绿色”器件
应用领域
- 电池管理
- 负载开关
- 电池保护