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DMN2992UFB4-7B
20V N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 此MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2992UFB4-7B
- 商品编号
- C19949844
- 商品封装
- X2-DFN1006-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.025克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 830mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.8Ω@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.02W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 410pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 15.6pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 5.4pF |