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DMN31D5UFZQ-7B
DMN31D5UFZQ-7B
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN31D5UFZQ-7B
- 商品编号
- C19949858
- 商品封装
- X2-DFN0606-3
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 410mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5Ω@1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 400mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 380pC@4.5V | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款第二代横向MOSFET（LD - MOS）经过精心设计，可将导通损耗降至最低，并实现超快速开关，非常适合高效功率传输。它采用芯片级封装（CSP），通过将低热阻抗与单位占位面积的最小RDS(ON)相结合，提高了功率密度。
商品特性
- 具备最低品质因数的LD - MOS技术：RDS(ON) = 18 mΩ，可将导通损耗降至最低；Qg = 3.2 nC，实现超快速开关
- 典型VGS(th) = 0.8 V，具备低开启电位
- 占位面积为1.0mm × 1.0mm的CSP封装
- 高度为0.45mm，实现薄型化设计
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，属于“绿色”器件
应用领域
- DC-DC转换器-电池管理-负载开关