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DMN32D0LV-7
DMN32D0LV-7
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- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN32D0LV-7
- 商品编号
- C19949860
- 商品封装
- SOT-563
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.052克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 680mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2Ω@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 480mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 620pC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品概述
这款MOSFET旨在最大程度降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
-双N沟道MOSFET-低导通电阻-极低的栅极阈值电压-低输入电容-快速开关速度-低输入/输出泄漏电流-超小型表面贴装封装-完全无铅且符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件-该器件符合JEDEC标准(如AEC-Q中所引用),具备高可靠性
应用领域
-高效电源管理应用