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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 350mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4Ω@1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
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